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據(jù)telecompaper網(wǎng)6月16日?qǐng)?bào)道，LamResearch宣布，韓國(guó)芯片制造商SKHynix已選擇Lam的創(chuàng)新干式抗蝕劑制造技術(shù)作為先進(jìn)DRAM芯片生產(chǎn)中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟的記錄開(kāi)發(fā)工具。

干式抗蝕劑提高了極紫外(EUV)光刻技術(shù)的分辨率、生產(chǎn)力和良品率，這是一種用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。Lam干式抗蝕劑產(chǎn)品組副總裁兼總經(jīng)理RichardWise說(shuō)：“Lam的干式抗蝕技術(shù)改變了芯片制造業(yè)游戲規(guī)則。通過(guò)在材料層面進(jìn)行創(chuàng)新解決了EUV光刻技術(shù)的最大挑戰(zhàn)，為先進(jìn)的內(nèi)存和邏輯實(shí)現(xiàn)了具有成本效益的擴(kuò)展。“

全球第二大內(nèi)存芯片制造商SKHynix打算使用Lam的干式抗蝕劑底層和干式開(kāi)發(fā)工藝進(jìn)行先進(jìn)的DRAM圖案化制作。